HFD6N70U Todos los transistores

 

HFD6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD6N70U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFD6N70U Datasheet (PDF)

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HFD6N70U

Jan 2014BVDSS = 700 VRDS(on) typ HFD6N70U / HFU6N70U ID = 4.8 A700V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD6N70U HFU6N70U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC

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HFD6N70U

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD6N60U / HFU6N60U ID = 4.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD6N60U HFU6N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 n

 9.2. Size:203K  semihow
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HFD6N70U

Jan 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFD6N65U / HFU6N65U ID = 4.8 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD6N65U HFU6N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC

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