HFD6N70U Todos los transistores

 

HFD6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFD6N70U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 95 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 16 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: D-PAK

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HFD6N70U Datasheet (PDF)

1.1. hfd6n70u.pdf Size:203K _update_mosfet

HFD6N70U
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Jan 2014 BVDSS = 700 V RDS(on) typ HFD6N70U / HFU6N70U ID = 4.8 A 700V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD6N70U HFU6N70U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC

5.1. hfd6n65u.pdf Size:203K _update_mosfet

HFD6N70U
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Jan 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFD6N65U / HFU6N65U ID = 4.8 A 650V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD6N65U HFU6N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC

5.2. hfd6n60u.pdf Size:203K _update_mosfet

HFD6N70U
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Jan 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD6N60U / HFU6N60U ID = 4.8 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD6N60U HFU6N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 n

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