HFD8N60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFD8N60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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HFD8N60U datasheet

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HFD8N60U

Jan 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD8N60U / HFU8N60U ID = 6.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD8N60U HFU8N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 n

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HFD8N60U

Jan 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFD8N65U / HFU8N65U ID = 6.0 A 650V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD8N65U HFU8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 n

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HFD8N60U

Jan 2014 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.3 HFD8N70U / HFU8N70U ID = 6.0 A 700V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD8N70U HFU8N70U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 nC

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