HFD8N60U Todos los transistores

 

HFD8N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFD8N60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 98 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 22 nC

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: D-PAK

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HFD8N60U Datasheet (PDF)

1.1. hfd8n60u.pdf Size:203K _update_mosfet

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Jan 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD8N60U / HFU8N60U ID = 6.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD8N60U HFU8N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 n

4.1. hfd8n65u.pdf Size:202K _update_mosfet

HFD8N60U
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Jan 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFD8N65U / HFU8N65U ID = 6.0 A 650V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD8N65U HFU8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 n

 5.1. hfd8n70u.pdf Size:201K _update_mosfet

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Jan 2014 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.3 HFD8N70U / HFU8N70U ID = 6.0 A 700V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD8N70U HFU8N70U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC

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