HFD8N65U Todos los transistores

 

HFD8N65U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD8N65U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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HFD8N65U Datasheet (PDF)

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HFD8N65U

Jan 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFD8N65U / HFU8N65U ID = 6.0 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD8N65U HFU8N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 n

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HFD8N65U

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD8N60U / HFU8N60U ID = 6.0 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD8N60U HFU8N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 n

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HFD8N65U

Jan 2014BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.3 HFD8N70U / HFU8N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD8N70U HFU8N70U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC

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History: 2SJ472-01L | HM2319 | IPP60R385CP | BSS138LT1 | 2SK1738 | LSD60R380HT | 2SK2027-01

 

 
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