HFP2N60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP2N60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HFP2N60U datasheet

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HFP2N60U

Nov 2013 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = HFP2N60U ID = 2 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R

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HFP2N60U

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HFP2N60U

Oct 2016 HFP2N60F / HFS2N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 2A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 6.5 nC RoHS Compliant HFP2N60F HFS2N60F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unles

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HFP2N60U

March 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP2N60S ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 6.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

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