IXTM5N100A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTM5N100A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO204

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IXTM5N100A datasheet

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IXTM5N100A

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH / IXTM 5N100 1000 V 5 A 2.4 Power MOSFET IXTH / IXTM 5N100A 1000 V 5 A 2.0 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25

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IXTM5N100A

IXTH 50N20 VDSS = 200 V MegaMOSTMFET IXTM 50N20 ID25 = 50 A RDS(on) = 45 m N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C50 A TO-204 AE (IXTM) IDM TC = 25 C, pulse width limited b

 9.2. Size:378K  ixys
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IXTM5N100A

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