HFS2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFS2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 23 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 9 nC
Tiempo de elevación (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS2N60
HFS2N60 Datasheet (PDF)
1.1. hfs2n60u.pdf 
Size:301K _update_mosfet
Nov 2013 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS2N60U ID = 2 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower
1.2. hfs2n60s.pdf Size:161K _update_mosfet
March 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS2N60S ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area
1.3. hfs2n60.pdf Size:150K _update_mosfet
July 2005 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS2N60 ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS
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