HUFA75333S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUFA75333S3ST
   Código: 75333S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUFA75333S3ST

HUFA75333S3ST Datasheet (PDF)

..1. Size:233K fairchild semi
hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

6.1. Size:223K fairchild semi
hufa75337g3 hufa75337p3 hufa75337s3s hufa75337s3st.pdf

HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

6.2. Size:268K fairchild semi
hufa75332g3 hufa75332s3s.pdf

HUFA75332G3, HUFA75332P3, HUFA75332S3SData Sheet June 200260A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 60A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models a

6.3. Size:226K fairchild semi
hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf

HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

6.4. Size:258K inchange semiconductor
hufa75339g3.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor HUFA75339G3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: