HUFA75842P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HUFA75842P3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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HUFA75842P3 datasheet
hufa75842p3 hufa75842s3s hufa75842s3st.pdf
HUFA75842P3, HUFA75842S3S Data Sheet November 2000 File Number 4968 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.042 , VGS = 10V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE SOURCE Electrical Models DRAIN -
hufa75852g3.pdf
HUFA75852G3_F085 Data Sheet December 2011 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 Features SOURCE Ultra Low On-Resistance DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant DRAIN (TAB) Ordering Information Symbol PART NUMBER PACKAGE BRA
huf75829d3st huf75829d3 huf75829d3s hufa75829d3s hufa75829d3st.pdf
HUFA75829D3, HUFA75829D3S Data Sheet December 2001 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN Ultra Low On-Resistance SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.110 , VGS = 10V GATE GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice
hufa75823d3s hufa75823d3st.pdf
HUFA75823D3, HUFA75823D3S Data Sheet December 2001 14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN (FLANGE) Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.150 , VGS = 10V GATE GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice
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