HUFA75842P3 Todos los transistores

 

HUFA75842P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA75842P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

HUFA75842P3 Datasheet (PDF)

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HUFA75842P3

HUFA75842P3, HUFA75842S3SData Sheet November 2000 File Number 496843A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATESOURCEElectrical ModelsDRAIN-

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HUFA75842P3

HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA

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HUFA75842P3

HUFA75829D3, HUFA75829D3SData Sheet December 200118A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN Ultra Low On-ResistanceSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.110, VGS = 10VGATEGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice

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HUFA75842P3

HUFA75823D3, HUFA75823D3SData Sheet December 200114A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.150, VGS = 10VGATEGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice

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History: 2SK2111 | 2SK3272-01SJ | SM8205AO | 2SK1475

 

 
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