HUFA76407P3 Todos los transistores

 

HUFA76407P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA76407P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

HUFA76407P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  fairchild semi
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HUFA76407P3

HUFA76407P3Data Sheet December 200112A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN - rDS(ON) = 0.092, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.107, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Thermal Impedance M

 5.1. Size:150K  fairchild semi
 hufa76407d3st hufa76407d3 hufa76407d3s.pdf pdf_icon

HUFA76407P3

HUFA76407D3, HUFA76407D3SData Sheet December 200111A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN DRAINSOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.092, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.107, VGS = 5VGATESOURCE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE a

 5.2. Size:543K  fairchild semi
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HUFA76407P3

HUFA76407DK8T_F085Data Sheet October 20103.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFeaturesPackagingJEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10VBRANDING DASH- rDS(ON) = 0.105, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER 5Electrical Models- SPICE and SABER Thermal Impedance

 5.3. Size:263K  fairchild semi
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HUFA76407P3

HUFA76407DK8Data Sheet December 20013.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC MS-012AA Ultra Low On-ResistanceBRANDING DASH- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105, VGS = 5V Simulation Models5- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models12- SPICE and SABER Thermal Impedan

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History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO

 

 
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