IXTP8N45MA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP8N45MA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXTP8N45MA datasheet

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IXTP8N45MA

Preliminary Technical Information IXTP 8N50PM VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 4 A Power MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings OVERMOLDED TO-220 (IXTP...M) OUTLINE VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS

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IXTP8N45MA

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY8N65X2 Power MOSFET ID25 = 8A IXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

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IXTP8N45MA

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTP8N65X2M Power MOSFET ID25 = 4A RDS(on) 550m (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDED Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V G D S VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V

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IXTP8N45MA

IXTA 8N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTP 8N50P ID25 = 8 A Power MOSFET RDS(on) 0.8 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G VGS Continuous 30 V S VGSM Transient 40 V (TAB) ID25 TC = 25 C8 A IDM

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