HUFA76423S3S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HUFA76423S3S 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TO-263AB
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de HUFA76423S3S MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HUFA76423S3S datasheet
hufa76423p3 hufa76423s3s hufa76423s3st.pdf
HUFA76423P3, HUFA76423S3S Data Sheet December 2001 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.030 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 5V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Ele
hufa76423d3s hufa76423d3st.pdf
HUFA76423D3, HUFA76423D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.032 , VGS = 10V DRAIN DRAIN - rDS(ON) = 0.037 , VGS = 5V SOURCE (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER
hufa76429d3.pdf
HUFA76429D3, HUFA76429D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El
hufa76429p3 hufa76429s3s hufa76429s3st.pdf
HUFA76429P3, HUFA76429S3S Data Sheet December 2001 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.022 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.025 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE E
Otros transistores... HUFA76413P3, HUFA76419D3, HUFA76419P3, HUFA76419S3S, HUFA76419S3ST, HUFA76423D3S, HUFA76423D3ST, HUFA76423P3, K4145, HUFA76423S3ST, HUFA76429D3S, HUFA76429D3ST, HUFA76429P3, HUFA76429S3S, HUFA76429S3ST, HUFA76432P3, HUFA76432S3S
History: HUFA76413D3 | HUFA76443P3 | HUFA75429D3ST
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y
