HUFA76429P3 Todos los transistores

 

HUFA76429P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA76429P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 203 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de HUFA76429P3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HUFA76429P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 hufa76429p3 hufa76429s3s hufa76429s3st.pdf pdf_icon

HUFA76429P3

HUFA76429P3, HUFA76429S3SData Sheet December 200144A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.022, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.025, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE

 5.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429P3

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 5.2. Size:144K  fairchild semi
 hufa76429d3s hufa76429d3st.pdf pdf_icon

HUFA76429P3

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 5.3. Size:638K  onsemi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429P3

HUFA76429D3Data Sheet October 2013N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60 V, 20 A, 27 mPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectriecal ModelsDRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Models

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HUFA76419S3ST , HUFA76423D3S , HUFA76423D3ST , HUFA76423P3 , HUFA76423S3S , HUFA76423S3ST , HUFA76429D3S , HUFA76429D3ST , 4435 , HUFA76429S3S , HUFA76429S3ST , HUFA76432P3 , HUFA76432S3S , HUFA76432S3ST , HUFA76437P3 , HUFA76437S3S , HUFA76437S3ST .

History: SM6A17NSF | DMP3050LVT

 

 
Back to Top

 


 
.