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HUFA76439S3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA76439S3S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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HUFA76439S3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  fairchild semi
 hufa76439p3 hufa76439s3s hufa76439s3st.pdf pdf_icon

HUFA76439S3S

HUFA76439P3, HUFA76439S3SData Sheet July 200271A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical Mo

 6.1. Size:214K  fairchild semi
 hufa76437p3 hufa76437s3s hufa76437s3st.pdf pdf_icon

HUFA76439S3S

HUFA76437P3, HUFA76437S3SData Sheet December 200164A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.017, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

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 hufa76432p3.pdf pdf_icon

HUFA76439S3S

HUFA76432P3, HUFA76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

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 hufa76432s3s hufa76432s3st.pdf pdf_icon

HUFA76439S3S

HUFA76432P3, HUFA76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

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History: GSM3400A | SI2342DS | BUK7Y43-60E

 

 
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