HUFA76645S3S Todos los transistores

 

HUFA76645S3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA76645S3S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 310 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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HUFA76645S3S Datasheet (PDF)

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HUFA76645S3S

HUFA76645P3, HUFA76645S3SData Sheet January 200275A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE - rDS(ON) = 0.015, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical

 0.1. Size:302K  fairchild semi
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HUFA76645S3S

HUFA76645S3ST_F085Data Sheet September 201075A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeatures Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-263AB- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.015, VGS = 5VDRAIN Simulation Models (FLANGE)- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Imped

 7.1. Size:217K  fairchild semi
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HUFA76645S3S

HUFA76639P3, HUFA76639S3SData Sheet January 200250A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.026, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 7.2. Size:214K  fairchild semi
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HUFA76645S3S

HUFA76619D3, HUFA76619D3SData Sheet January 200218A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAINDRAINSOURCE (FLANGE) (FLANGE)- rDS(ON) = 0.085, VGS = 10VDRAINGATE- rDS(ON) = 0.087, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE

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