PJA3409 Todos los transistores

 

PJA3409 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3409
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJA3409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  panjit
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PJA3409

PPJA3409 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -30 V Current -2.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.9A

 8.1. Size:197K  panjit
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PJA3409

PPJA3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)30 V 4.9A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.9A

 8.2. Size:194K  panjit
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PJA3409

PPJA3404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)30 V 5.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@5.6A

 8.3. Size:198K  panjit
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PJA3409

PPJA3406 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)30 V 4.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.4A

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History: SMG2343P | IPB14N03LA | NTLJS4159NT1G | SVT088R0NT | WFW40N25W | GP2M011A090NG | FDS6892A

 

 
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