PJA3409 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJA3409 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJA3409

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de PJA3409 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:192K panjit
pja3409.pdf pdf_icon

PPJA3409 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -2.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.9A

8.1. Size:197K panjit
pja3400.pdf pdf_icon

PPJA3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 30 V 4.9A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.9A

8.2. Size:194K panjit
pja3404.pdf pdf_icon

PPJA3404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 30 V 5.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@5.6A

8.3. Size:198K panjit
pja3406.pdf pdf_icon

PPJA3406 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 30 V 4.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.4A