PJA3416 Todos los transistores

 

PJA3416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3416
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PJA3416 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  panjit
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PJA3416

PPJA3416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.8A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.8A

 0.1. Size:389K  panjit
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PJA3416

PPJA3416AE 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage 20 V Current 6.5A Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@6.5A

 8.1. Size:206K  panjit
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PJA3416

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
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PJA3416

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

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History: 2SJ574 | FDS4770 | NTB52N10G | IRFSZ34 | AON4602 | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
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