PJA3416 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJA3416 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJA3416

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de PJA3416 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:224K panjit
pja3416.pdf pdf_icon

PPJA3416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 5.8A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.8A

0.1. Size:389K panjit
pja3416ae.pdf pdf_icon

PPJA3416AE 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) Voltage 20 V Current 6.5A Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@6.5A

8.1. Size:206K panjit
pja3413.pdf pdf_icon

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

8.2. Size:206K panjit
pja3412.pdf pdf_icon

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A