PJA3431 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJA3431
   Código: A31
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.325 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJA3431

PJA3431 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K panjit
pja3431.pdf

PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

8.1. Size:272K panjit
pja3430.pdf

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

8.2. Size:200K panjit
pja3434.pdf

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 750mAVoltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

8.3. Size:278K panjit
pja3432.pdf