PJC7401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJC7401
   Código: C01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 32 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJC7401

PJC7401 Datasheet (PDF)

..1. Size:265K panjit
pjc7401.pdf

PPJC7401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-1.5A

8.1. Size:252K panjit
pjc7406.pdf

PPJC7406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)20 V 1.3A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.3A

8.2. Size:246K panjit
pjc7403.pdf

PPJC7403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A

8.3. Size:276K panjit
pjc7404.pdf

PPJC7404 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm) 20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A

8.4. Size:259K panjit
pjc7400.pdf

PPJC7400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)30 V 1.9A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@1.9A

8.5. Size:257K panjit
pjc7407.pdf

PPJC7407 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.3A

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