PJC7407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJC7407
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJC7407
PJC7407 Datasheet (PDF)
pjc7407.pdf
PPJC7407 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.3A
pjc7406.pdf
PPJC7406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)20 V 1.3A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.3A
pjc7403.pdf
PPJC7403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A
pjc7404.pdf
PPJC7404 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm) 20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A
pjc7401.pdf
PPJC7401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-1.5A
pjc7400.pdf
PPJC7400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)30 V 1.9A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@1.9A
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Liste
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