PJC7407 Todos los transistores

 

PJC7407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJC7407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJC7407

 

PJC7407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  panjit
pjc7407.pdf

PJC7407
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PPJC7407 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.3A

 8.1. Size:252K  panjit
pjc7406.pdf

PJC7407
PJC7407

PPJC7406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)20 V 1.3A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.3A

 8.2. Size:246K  panjit
pjc7403.pdf

PJC7407
PJC7407

PPJC7403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A

 8.3. Size:276K  panjit
pjc7404.pdf

PJC7407
PJC7407

PPJC7404 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm) 20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A

 8.4. Size:265K  panjit
pjc7401.pdf

PJC7407
PJC7407

PPJC7401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-1.5A

 8.5. Size:259K  panjit
pjc7400.pdf

PJC7407
PJC7407

PPJC7400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)30 V 1.9A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@1.9A

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