PJC7407 Todos los transistores

 

PJC7407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJC7407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJC7407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  panjit
 pjc7407.pdf pdf_icon

PJC7407

PPJC7407 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.3A

 8.1. Size:252K  panjit
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PJC7407

PPJC7406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)20 V 1.3A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.3A

 8.2. Size:246K  panjit
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PJC7407

PPJC7403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A

 8.3. Size:276K  panjit
 pjc7404.pdf pdf_icon

PJC7407

PPJC7404 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm) 20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A

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History: BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L | AUIRF2804

 

 
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