PJL9801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJL9801
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de PJL9801 MOSFET
PJL9801 Datasheet (PDF)
pjl9801.pdf
PPJL9801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOP-8 Unit: inch(mm) Voltage -30 V -5A Current Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-5.0A
Otros transistores... PJE138K , PJE8400 , PJE8401 , PJE8402 , PJE8403 , PJE8404 , PJE8405 , PJE8406 , 12N60 , PJQ2888 , PJS50N03 , PJS6400 , PJS6401 , PJS6404 , PJS6405 , PJS6407 , PJS6413 .
History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80
History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373

