PJL9801 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJL9801
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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PJL9801 datasheet
pjl9801.pdf
PPJL9801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOP-8 Unit inch(mm) Voltage -30 V -5A Current Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-5.0A
Otros transistores... PJE138K, PJE8400, PJE8401, PJE8402, PJE8403, PJE8404, PJE8405, PJE8406, 12N60, PJQ2888, PJS50N03, PJS6400, PJS6401, PJS6404, PJS6405, PJS6407, PJS6413
History: IRFN140SMD | PJQ2888 | IXTH35N25MA | IRFN214BTAFP001 | PMDXB550UNE | MTN2510E3
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
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