PJS6404 Todos los transistores

 

PJS6404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6404
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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PJS6404 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  panjit
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PJS6404

PPJS6404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.8A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.8A

 8.1. Size:287K  panjit
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PJS6404

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

 8.2. Size:256K  panjit
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PJS6404

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

 8.3. Size:489K  panjit
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PJS6404

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A

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History: CJPF05N65 | AP50P10D | AP5N06MI | GSM3015S | GSM4124WS | PSMN025-100D

 

 
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