PJS6800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS6800
Código: ST0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 11.3 nC
Tiempo de subida (tr): 57 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 44 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJS6800
PJS6800 Datasheet (PDF)
pjs6800.pdf
PPJS6800 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm Voltage 30 V Current 3.9A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@3.9A
pjs6801.pdf
PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A
pjs6809.pdf
PPJS6809 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -2.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.6A
pjs6806.pdf
PPJS6806 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 30 V 4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.0A
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