PJS6809 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJS6809 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS6809

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de PJS6809 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:159K panjit
pjs6809.pdf pdf_icon

PPJS6809 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -2.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.6A

8.1. Size:300K panjit
pjs6801.pdf pdf_icon

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

8.2. Size:304K panjit
pjs6806.pdf pdf_icon

PPJS6806 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 30 V 4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.0A

8.3. Size:269K panjit
pjs6800.pdf pdf_icon

PPJS6800 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm Voltage 30 V Current 3.9A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@3.9A