PJS6812 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJS6812 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS6812

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de PJS6812 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:284K panjit
pjs6812.pdf pdf_icon

PPJS6812 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 20 V 3.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@3.7A

8.1. Size:152K panjit
pjs6815.pdf pdf_icon

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

8.2. Size:272K panjit
pjs6811.pdf pdf_icon

PPJS6811 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -2.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-2.7A

8.3. Size:254K panjit
pjs6816.pdf pdf_icon

PPJS6816 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A