PJS6832 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS6832

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

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PJS6832 datasheet

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PJS6832

PPJS6832 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

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PJS6832

PPJS6833 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -1.1A Features RDS(ON) , VGS@-4,5V, ID@-1.1A

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PJS6832

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

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PJS6832

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

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