PJX8802 Todos los transistores

 

PJX8802 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJX8802
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJX8802 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  panjit
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PJX8802

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.1. Size:259K  panjit
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PJX8802

PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

 8.2. Size:263K  panjit
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PJX8802

PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

 8.3. Size:208K  panjit
 pjx8804.pdf pdf_icon

PJX8802

PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

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History: CP650 | WM02N08L

 

 
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