WFF740 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF740
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de WFF740 MOSFET
WFF740 Datasheet (PDF)
wff740.pdf

WFF740WFF740WFF740WFF740Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 10A,400V,R (Max 0.55)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 60nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using
Otros transistores... WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , WFF640 , WFF730 , IRFZ44 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B .
History: IXTQ96N15P | RP1E100RPTR | 3SK232 | RQ3E080GN | RND030N20 | RQ3E080BN | IXTP22N50PM
History: IXTQ96N15P | RP1E100RPTR | 3SK232 | RQ3E080GN | RND030N20 | RQ3E080BN | IXTP22N50PM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
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