WFP50N06C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP50N06C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 428 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO-220

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WFP50N06C datasheet

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WFP50N06C

WFP50N06C WFP50N06C WFP50N06C WFP50N06C Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 23m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

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WFP50N06C

WFP50N06 WFP50N06 WFP50N06 WFP50N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 22m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using Wi

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