WFP634 Todos los transistores

 

WFP634 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP634
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de WFP634 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFP634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  winsemi
 wfp634.pdf pdf_icon

WFP634

WFP634WFP634WFP634WFP634Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A, 250V, R (Max 0.45)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionT h i s P o w e r M O S F E T is p r

 9.1. Size:530K  winsemi
 wfp630.pdf pdf_icon

WFP634

WFP630WFP630WFP630WFP630Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 9A, 200V, R (Max 0.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 22nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral

Otros transistores... WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , 4N60 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 .

History: SFF340Z | RSD200N10TL | AO4862E | HTM200P03 | OSG60R108JZF | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
Back to Top

 


 
.