WFP840 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP840

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

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WFP840 datasheet

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WFP840

WFP840 WFP840 WFP840 WFP840 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 8A,500V,RDS(on)(Max 0.8 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 59nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General Descri

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WFP840

WFP840B WFP840B WFP840B WFP840B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Otros transistores... WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, IRFP450, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60