WFU5N60 Todos los transistores

 

WFU5N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFU5N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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WFU5N60 Datasheet (PDF)

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WFU5N60

WFU5N60WFU5N60WFU5N60WFU5N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,600V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

 0.1. Size:490K  winsemi
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WFU5N60

WFU5N60BWFU5N60BWFU5N60BWFU5N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,600V,R (Max2.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 9.1. Size:727K  winsemi
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WFU5N60

WFU5N50WFU5N50WFU5N50WFU5N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 5A,500V,RDS(on)(Max1.6)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MO SFET is pro du ced using Wi

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History: FQPF4P40 | 2SK1478 | BRFL13N50 | CEF02N6G | IXFT12N100F | 2SK65 | UTT25P10L-TQ2-T

 

 
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