WFU5N60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFU5N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO-251
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WFU5N60B datasheet
wfu5n60b.pdf
WFU5N60B WFU5N60B WFU5N60B WFU5N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced
wfu5n60.pdf
WFU5N60 WFU5N60 WFU5N60 WFU5N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi
wfu5n50.pdf
WFU5N50 WFU5N50 WFU5N50 WFU5N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5A,500V,RDS(on)(Max1.6 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MO SFET is pro du ced using Wi
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Liste
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