WFW18N50W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WFW18N50W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 280 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 42 nC
   Tiempo de subida (tr): 40 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFW18N50W

WFW18N50W Datasheet (PDF)

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wfw18n50w.pdf

WFW18N50WWFW18N50WWFW18N50WWFW18N50WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is prod

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WFW18N50WFW18N50WFW18N50WFW18N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability100%Avalanche TestedMaximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThese N-Channel enhancement

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wfw18n50n.pdf

WFW18N50NWFW18N50NWFW18N50NWFW18N50NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is prod

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Liste

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