PMN27XPE Todos los transistores

 

PMN27XPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMN27XPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 254 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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PMN27XPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  nxp
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PMN27XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET20 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection1.

 0.1. Size:275K  nxp
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PMN27XPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection AEC-Q101 qualified3. A

 9.1. Size:1566K  nxp
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PMN27UP20 V, 5.7 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 13 July 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET technology Very fast switch

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History: TK11S10N1L | SML50C15 | AON7232 | IXFR27N80Q | AP3R604AGH-HF | NVTFS4C08N | CMPDM7002AG

 

 
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