PMXB43UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMXB43UNE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1010D-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMXB43UNE

PMXB43UNE Datasheet (PDF)

..1. Size:245K nxp
pmxb43une.pdf

PMXB43UNE20 V, N-channel Trench MOSFET19 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package

9.1. Size:254K nxp
pmxb40une.pdf

PMXB40UNE12 V, N-channel Trench MOSFET27 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package

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Liste

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