PNMTO600V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PNMTO600V8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28.4 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 109 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PNMTO600V8
PNMTO600V8 Datasheet (PDF)
pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf
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PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0G1 S3Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOFRating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 V
pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf
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PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra
pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf
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PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0G1 S3Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre
pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf
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PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra
pnmto600v5 pnmtof600v5.pdf
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PNMTO600V5 PNMTOF600V5 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.44@ VGS=10V 5.0G1 S3Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 V TC=25 ID 3.2 ACo
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