PS05N20DA Todos los transistores

 

PS05N20DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PS05N20DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8 TSSOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

PS05N20DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  prospower
 ps05n20da.pdf pdf_icon

PS05N20DA

PS05N20DA 20V Dual Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS05N20DA 20V Dual Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description Battery managementThe PS05N20DA uses advanced trench Power managementtechnology and design to provide excellent Rds(on) DC-DC converterwith low gate charge. This device is suitable

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History: HM80N04 | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | MTA65N15H8 | BLF7G24LS-100 | LSH70R640GT

 

 
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