PS05N20DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PS05N20DA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOP-8 TSSOP-8

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PS05N20DA datasheet

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PS05N20DA

PS05N20DA 20V Dual Channel NMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS05N20DA 20V Dual Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description Battery management The PS05N20DA uses advanced trench Power management technology and design to provide excellent Rds(on) DC-DC converter with low gate charge. This device is suitable

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