PS20N600A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PS20N600A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 266 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.1 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.199 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS20N600A
PS20N600A Datasheet (PDF)
ps20n600a.pdf
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PS20N600A 600V Single Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Jan. 2012 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS20N600A 600V Single Channel NMOSFET2. Applications 1. General Description Power factor correction (PFC) The PS20N600A uses advanced high voltage Switched mode power supplies (SMPS) technology and design to provide excellent Rds(on) Uninterruptible P
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