PS20N600A Todos los transistores

 

PS20N600A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PS20N600A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 266 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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PS20N600A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  prospower
ps20n600a.pdf

PS20N600A
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PS20N600A 600V Single Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Jan. 2012 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS20N600A 600V Single Channel NMOSFET2. Applications 1. General Description Power factor correction (PFC) The PS20N600A uses advanced high voltage Switched mode power supplies (SMPS) technology and design to provide excellent Rds(on) Uninterruptible P

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