PS75N75A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PS75N75A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO-220

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PS75N75A datasheet

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PS75N75A

PS75N75A 75V Single Channel NMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS75N75A 75V Single Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description Solenoid and relay drivers The PS75N75A uses advanced trench technology DC motor control and design to provide excellent Rds(on) with low DC-DC converters gate charge. This device

 7.1. Size:188K  sirectsemi
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PS75N75A

E L E C T R O N I C PS75N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 75Amp 75Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D -High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

Otros transistores... PS06N20DEA, PS06N30SA, PS06P30DA, PS06P30SA, PS20N600A, PS4953A, PS60N60, PS75N75, IRF9640, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, PSMG150-01, PSMG50-05, PSMG60-08, PSMN003-30B