PS75N75A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PS75N75A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS75N75A

PS75N75A Datasheet (PDF)

..1. Size:303K prospower
ps75n75a.pdf

PS75N75A 75V Single Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS75N75A 75V Single Channel NMOSFET2. Applications 1. General Description Solenoid and relay drivers The PS75N75A uses advanced trench technology DC motor control and design to provide excellent Rds(on) with low DC-DC convertersgate charge. This device

7.1. Size:188K sirectsemi
ps75n75.pdf

E L E C T R O N I C PS75N75N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 75Amp 75Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D-High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

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History: STD2NK70Z

Liste

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