PS8205B Todos los transistores

 

PS8205B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PS8205B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

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PS8205B Datasheet (PDF)

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PS8205B 20V Dual Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS8205B 20V Dual Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description Battery management in nomadic equipment The PS8205B uses advanced trench technology DC motor control and design to provide excellent Rds(on) with low DC-DC convertersgate charge. This

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PS8205B
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