WVM3N10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WVM3N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WVM3N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 75 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO3

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WVM3N10 datasheet

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Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM3N10 Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source con

9.1. Size:23K shaanxi
wvm3n30.pdf pdf_icon

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM3N30(New) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33A-97, QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of

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