2SK1000 Todos los transistores

 

2SK1000 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1000
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: SST
 

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2SK1000 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:245K  1
2sk1007-01.pdf pdf_icon

2SK1000

FUJI POWER MOSFET2SK1007-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaxi

 8.2. Size:211K  1
2sk1006-01mr.pdf pdf_icon

2SK1000

FUJI POWER MOSFET2SK1006-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220F15Low on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulators2.54UPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDECSC-67EIAJEquivalent circuit schematicMax

Otros transistores... 2SJ548 , 2SJ549 , 2SJ550 , 2SJ551 , 2SJ552 , 2SJ553 , 2SJ554 , 2SJ555 , IRF540N , 2SK1006-01MR , 2SK1007-01 , 2SK1013-01 , 2SK1017 , 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 .

History: IPL65R1K0C6S | IRFS3006-7P | ZXMC6A09DN8T | IRFH5015 | WMM26N60C4 | IRF8707PBF-1 | STFW60N65M5

 

 
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