SVD640F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD640F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVD640F
SVD640F Datasheet (PDF)
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SVD640T/D/F 18A200V N SVD640T/D/F N MOS S-RinTM VDMOS AC-DC
8.1. Size:442K silan
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SVD640T/D/S 18A200V N 2SVD640T/D/S N MOS S-RinTM VDMOS .13. 1. 2. 3.
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History: AUIRFR48Z
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