SVF12N65CK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF12N65CK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 209 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO262
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SVF12N65CK datasheet
svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A 650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A
svf12n65f svf12n65t.pdf
SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
svf12n65t svf12n65f.pdf
SVF12N65T/F 12A 650V N 2 SVF12N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Otros transistores... SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , 10N60 , SVF12N65CS , SVF12N65CKL , SVF12N65CFQ , SVF13N50T , SVF13N50F , SVF13N50PN , SVF14N65CFJ , SVF18N50F .
History: H2N60U | AP25N170I | SK2302AA
History: H2N60U | AP25N170I | SK2302AA
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