SVF2N60CF Todos los transistores

 

SVF2N60CF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF2N60CF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SVF2N60CF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  silan
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SVF2N60CF

SVF2N60CN/M/F 2A600V N 2SVF2N60CN/M/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2. 3

 ..2. Size:434K  silan
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SVF2N60CF

SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D 2A600V N 2SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N MOS 13 F-CellTM VDMOS TO-252-2L13

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SVF2N60CF

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 7.2. Size:362K  silan
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SVF2N60CF

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: IPD30N08S2-22 | BL15N50-F | SI8475EDB | 2SK2527-01MR | IRF60R217 | SI8457DB | IPD30N06S2-23

 

 
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