SVF2N70M Todos los transistores

 

SVF2N70M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF2N70M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22.27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF2N70M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  silan
 svf2n70m svf2n70mj svf2n70f svf2n70d svf2n70nf svf2n70mn.pdf pdf_icon

SVF2N70M

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A650V N 2SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251-3L1132

 9.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N70M

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 9.2. Size:362K  silan
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SVF2N70M

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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 svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N70M

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1133

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History: IRF6726M | SIR496DP | IRFR9220 | AP4453AGYT-HF | AO4914 | SIRA02DP | BFC23

 

 
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