TSM2N7002KCU Todos los transistores

 

TSM2N7002KCU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM2N7002KCU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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TSM2N7002KCU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  taiwansemi
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TSM2N7002KCU

TSM2N7002K 60V N-Channel MOSFET SOT-23 SOT-323 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (mA) 2. Source 3. Drain 2 @ VGS = 10V 300 60 4 @ VGS = 4.5V 200 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protected 2KV High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Packing TSM2N7002KCX RF SOT-23

 3.1. Size:380K  taiwansemi
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TSM2N7002KCU

TSM2N7002KCX Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 60V, 300mA, 2 FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low On-Resistance PARAMETER VALUE UNIT ESD Protected 2KV VDS 60 V High Speed Switching VGS = 10V 2 Low Voltage Drive RDS(on) (max) VGS = 4.5V 4 Qg 0.4 nC APPLICATION Logic Level translators DC-DC Converter SOT-23 Note

 4.1. Size:194K  taiwansemi
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TSM2N7002KCU

TSM2N7002KD 60V N-Channel MOSFET SOT-363 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 2 6. Drain 2 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 2 5. Gate 1 3. Drain 1 4. Source 1 2 @ VGS = 10V 300 60 4 @ VGS = 4.5V 200 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Pa

 5.1. Size:127K  taiwansemi
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TSM2N7002KCU

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History: B0210D | 2SK3405

 

 
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