MTP3N60FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP3N60FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP3N60FI
MTP3N60FI Datasheet (PDF)
mtp3n60e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N60E/DDesigner's Data SheetMTP3N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.600 VOLTSThis new
mtp3n60erev2.pdf
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MTP3N60MTP3N60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DMTP3N60 600 V
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Liste
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