TSM3N90CZ Todos los transistores

 

TSM3N90CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM3N90CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 94 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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TSM3N90CZ Datasheet (PDF)

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tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf

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TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:514K  taiwansemi
tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf

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TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

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