TSM4436CS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM4436CS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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TSM4436CS datasheet
tsm4436cs.pdf
TSM4436 60V N-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 8. Drain 2. Source 7. Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Source 6. Drain 36 @ VGS = 10V 4.6 4. Gate 5. Drain 60 43 @ VGS = 4.5V 4.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application High-Side DC/DC
tsm4431cs.pdf
TSM4431 30V P-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 2. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Source 40 @ VGS = -10V -5.8 4. Gate -30 5, 6, 7, 8. Drain 70 @ VGS = -4.5V -4.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion A
tsm4435cs.pdf
TSM4435 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition 1. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Source 21 @ VGS = -10V -9.1 4. Gate -30 35 @ VGS = -4.5V -6.9 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion Ba
Otros transistores... TSM4424CS, TSM4425CS, TSM4426CS, TSM4431CS, TSM4433CS, TSM4433DCS, TSM4435BCS, TSM4435CS, RFP50N06, TSM4513DCS, TSM4539DCS, TSM4835CS, TSM4872CS, TSM4886CS, TSM4925DCS, TSM4936DCS, TSM4944DCS
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